一种生长砷化镓单晶的温控炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种生长砷化镓单晶的温控炉,包括温控炉本体，所述温控炉本体的内壁安装有保温罩，所述保温罩的内腔设置有坩埚和石墨加热器，所述坩埚的底部设置有放置架，所述放置架由两个弧形固定杆和一个固定环连接组成，所述放置架的内侧开设有限位槽，所述坩埚的外侧设置有限位条块，所述放置架的底部通过连接部与托杆的顶端相连，所述托杆的底端贯穿所述温控炉本体的下表面，并与旋转系统相连。综上所述，本实用新型的有益效果在于：通过放置架大大减少坩埚与放置架之间的接触面积，便于石墨加热器直接对坩埚的底部进行加热，提高其加热效率，而且通过限位块和限位槽之间的配合，能够大大加强放置架对坩埚的固定。
基本信息
专利标题 ：
一种生长砷化镓单晶的温控炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920807113.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-31
授权号 ：
CN210215611U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
代晓波
申请人 ：
独山中科晶元信息材料有限公司
申请人地址 ：
贵州省黔南布依族苗族自治州独山县麻万镇麻抹组独山中科晶元
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
谈杰
优先权 ：
CN201920807113.0
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B15/10 C30B29/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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