宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法
专利权的终止
摘要
一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化铝镓盖层，该低温砷化铝镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化铝镓盖层上制备高温砷化铝镓盖层，该高温砷化铝镓盖层是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的最外一层，具有保护作用，完成材料的生长。
基本信息
专利标题 ：
宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101038866A
申请号 ：
CN200610064883.8
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2006-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘宁金鹏王占国
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610064883.8
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L33/00 H01L31/18 H01S5/343
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2017-05-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101717202495
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2006100648838
申请日 : 20060316
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20160316
号牌文件序号 : 101717202495
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2006100648838
申请日 : 20060316
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20160316
2009-02-04 ：
授权
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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