波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法，属于半导体激光器芯片制备技术领域，能够解决刻蚀后AlInGaAs有源区暴露在空气中表面容易氧化、且掩模上容易形成多晶的问题。所述方法包括：将有源层端部暴露在空气中的含铝晶片放入反应腔内部，并在第一温度时通入含P元素的化合物；升温至第二温度，烘烤晶片第一时长；以第一流量通入含卤素的化合物气体，以刻蚀掉有源层端部的氧化物，并通入含In元素的金属有机化合物，以在有源层刻蚀区域对应的缓冲层上生长InP平直层；将含卤素的化合物气体的流量减小至第三流量，并通入含Ga元素的金属有机化合物和含As元素的化合物，以在InP平直层上生长InGaAsP波导层。本发明用于制备激光器。
基本信息
专利标题 ：
波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540785A
申请号 ：
CN202210067480.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张海超师宇晨穆瑶
申请人 ：
陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市西咸新区沣西新城开元路以北、兴信路以西、纵九路以东
代理机构 ：
西安迪业欣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
史冬梅
优先权 ：
CN202210067480.8
主分类号 ：
C23C16/02
IPC分类号 ：
C23C16/02 C23C16/04 C23C16/30 C23C16/44 H01S5/20 H01S5/343
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/02
待镀材料的预处理
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/02
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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