在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱L ED...
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摘要
在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β－Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500－1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5－10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600－800℃温度和0.1－1小时退火时间进行退火激活。
基本信息
专利标题 ：
在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱L ED器件结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1758456A
申请号 ：
CN200510094880.4
公开（公告）日 ：
2006-04-12
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢自力张荣韩平刘成祥周圣明修向前刘斌李亮郑有炓顾书林江若琏施毅朱顺明胡立群
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
210093江苏省南京市汉口路22号
代理机构 ：
南京天翼专利代理有限责任公司
代理人 ：
汤志武
优先权 ：
CN200510094880.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/343
法律状态
2008-09-10 ：
授权
2006-06-07 ：
实质审查的生效
2006-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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