一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器...
公开
摘要
本发明公开了一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器件，所述方法包括：1）将固态氧化镓加热至完全熔化，降温至氧化镓的熔点并且保持熔体状态保温30分钟以上；2）将步骤1）得到的所述氧化镓熔体梯度降温直至获得固态氧化镓单晶；所述梯度降温是将步骤1）得到的所述氧化镓熔体按照第一梯度降温至第一温度；再按照第二梯度继续降温至室温，得到氧化镓单晶；所述步骤1）中，从固态氧化镓加热至第一温度起，生长气氛中存在体积分数为2%以上的氧气。本发明得到的体块氧化镓单晶的直径为2英寸以上且厚度为10 mm以上；而且省略了下籽晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾、退火等操作，简化了晶体生长过程，降低了晶体生长成本。
基本信息
专利标题 ：
一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561701A
申请号 ：
CN202210441289.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-04-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
夏宁张辉马可可刘莹莹杨德仁
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区心北路99号5楼
代理机构 ：
杭州坚果知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张剑英
优先权 ：
CN202210441289.5
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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