一种砷化镓晶体生长用单晶炉
授权
摘要

本实用新型涉及砷化镓技术领域,且公开了一种砷化镓晶体生长用单晶炉,包括炉体,所述炉体的顶部固定安装有炉盖,所述炉体的左侧壁内部固定安装有观察窗,所述观察窗的下方且位于炉体的内部固定安装有数量为三个的射频线感应圈,所述炉体的底部固定安装有夹持座,所述夹持座的底部固定安装有固定座。该砷化镓晶体生长用单晶炉,通过设置射频线感应圈,可以提供热量来源,设置电机、减速器和转动轴,可以使得炉体内部的受热箱可以转动,使得受热更加均匀,设置三个射频线感应圈的间距相等,通过控制单个与单个射频线感应圈之间的温度差,从而使得垂向温度梯度能够控制,提高成晶率的重复性,进而达到成晶率高的效果。

基本信息
专利标题 :
一种砷化镓晶体生长用单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021102900.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-15
授权号 :
CN213172685U
授权日 :
2021-05-11
发明人 :
马争荣王建玲
申请人 :
高密普特电子设备有限公司
申请人地址 :
山东省潍坊市高密市高新技术产业开发区第二孵化器
代理机构 :
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 :
殷盛江
优先权 :
CN202021102900.4
主分类号 :
C30B29/42
IPC分类号 :
C30B29/42  C30B11/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2021-05-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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