一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开了一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置。所述装置包括石英安瓿瓶、支撑底座和支撑平台;所述石英安瓿瓶置于支撑底座上端,支撑底座放置在支撑平台上,并与支撑平台固定连接;所述支撑底座内设有炉芯,炉芯设有散热棒,且散热棒插入炉芯内,并与支撑平台可拆卸连接,装炉时散热棒的上端与石英安瓿瓶的下端瓶口保持距离,散热棒向上运动时与石英安瓿瓶的下端瓶口接触。在等径生长阶段,等径生长至50mm时,利用散热棒向上与石英安瓿瓶的下端瓶口接触,利用散热棒通过热辐射和热传导的方式将结晶潜热多余的热量缓慢放出,晶体生长完成后,无需再进行原位退火来减小晶体的热应力。
基本信息
专利标题 :
一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921518158.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-11
授权号 :
CN210856407U
授权日 :
2020-06-26
发明人 :
易明辉韩家贤
申请人 :
广东先导先进材料股份有限公司
申请人地址 :
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
颜希文
优先权 :
CN201921518158.2
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20 C30B29/42
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-01-04 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 15/20
登记生效日 : 20211222
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 广东先导先进材料股份有限公司
变更后权利人 : 广东先导微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区
变更后权利人 : 511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
登记生效日 : 20211222
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 广东先导先进材料股份有限公司
变更后权利人 : 广东先导微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区
变更后权利人 : 511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
2020-06-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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