一种砷化镓晶体生长设备
授权
摘要

本实用新型涉及砷化镓技术领域,且公开了一种砷化镓晶体生长设备,包括固定板,所述固定板的顶部固定安装有数量为两个的支撑臂,两个所述支撑臂的内侧固定安装有支撑架,所述支撑架的内侧固定安装有限位环,所述限位环的内部活动安装有滚珠,所述坩埚的下方且位于固定板的顶部固定安装有第一电机。该砷化镓晶体生长设备,通过设置第一电机、支撑架、限位环和滚珠,使得坩埚可以旋转,设置连接杆和第二电机,使得籽晶夹持器可以旋转,设置升降板、升降杆和液压缸,使得籽晶夹持器可以在旋转的过程中进行升降操作,方便采用直拉法的方式进行晶体的生长使得操作更为的简单,减少操作人员学习机器的操作时间。

基本信息
专利标题 :
一种砷化镓晶体生长设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021102937.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-15
授权号 :
CN213172686U
授权日 :
2021-05-11
发明人 :
马争荣王建玲
申请人 :
高密普特电子设备有限公司
申请人地址 :
山东省潍坊市高密市高新技术产业开发区第二孵化器
代理机构 :
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 :
殷盛江
优先权 :
CN202021102937.7
主分类号 :
C30B29/42
IPC分类号 :
C30B29/42  C30B15/30  C30B15/32  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2021-05-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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