砷化镓电池芯片结构
授权
摘要
本实用新型公开了砷化镓电池芯片结构，包括壳体，所述壳体的上表面通过卡扣连接有盖体，所述壳体的左右内侧表面均固定连接有固定板，所述固定板的上表面开设有通孔，所述壳体的内部设置有缓冲机构，所述缓冲机构包括第一弹簧、第二弹簧、上夹板、下夹板，所述壳体的内底部且靠近左右侧边缘处均与第一弹簧固定连接，所述盖体的内顶部且靠近左右侧边缘处与第二弹簧固定连接，所述第一弹簧贯穿通孔与下夹板固定连接。本实用新型，结构简单设计合理，能很好地解决现有技术的不足，通过使用缓冲机构，可以有效地缓冲来自外界产生的冲击力，有利于对砷化镓芯片在运输或安装的过程中进行保护，降低砷化镓芯片运输和安装的受损率。
基本信息
专利标题 ：
砷化镓电池芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123265089.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
CN216531222U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
江树昌陈光明张健凌张绍甫
申请人 ：
中鸣（宁德）科技装备制造有限公司
申请人地址 ：
福建省宁德市霞浦县经济开发区工业北路2号
代理机构 ：
东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘汉民
优先权 ：
CN202123265089.9
主分类号 ：
H02S40/22
IPC分类号 ：
H02S40/22 F16F15/04
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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