砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用

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摘要

本发明提供了一种砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用，涉及砷化镓芯片技术领域。该砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法，采用特定原料组成以及配比的液体混合物与砷化镓芯片封装结构进行反应，并通过控制反应的时间以及温度，从而实现对砷化镓芯片封装结构中塑封体以及基底的完全去除，同时也不会对晶粒产生损伤，实现晶粒的完整提取。本发明提供了上述砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法的应用，鉴于上述方法所具有的优势，使得所提取的晶粒不会受到腐蚀以及损伤，保证了晶粒的完整，为研究砷化镓芯片的失效分析提供了前提条件。本发明还提供一种砷化镓芯片的失效分析方法。

基本信息

专利标题：

砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113945442A

申请号：

CN202111205743.9

公开（公告）日：

2022-01-18

申请日：

2021-10-15

授权号：

CN113945442B

授权日：

2022-05-20

发明人：

王仁洲郑朝晖

申请人：

上海季丰电子股份有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区祖冲之路1505弄55号

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

刘建荣

优先权：

CN202111205743.9

主分类号：

G01N1/32

IPC分类号：

G01N1/32 G01N21/95