一种氮化镓基芯片的封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓基芯片的封装结构，包括基板，基板的上侧壁固定安装有氮化镓芯片，基板的上侧壁均匀固定安装有支撑装置，支撑装置的上侧壁固定安装有支撑板，支撑板的下侧壁均匀固定安装有第一支撑杆，支撑板的上侧壁均匀固定安装有第二支撑杆，基板的上侧壁固定安装有封装体，本实用新型通过基板和封装体内的支撑装置及支撑板的结构，当此装置受外力令封装体损坏时，支撑装置和支撑板能够继续对氮化镓芯片起到保护作用，同时在支撑装置内的弹簧片的作用能够对外力进行缓冲，进而进一步对氮化镓芯片进行保护，令此芯片可以反复使用。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓基芯片的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921167662.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-24
授权号 ：
CN210073817U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
孟立智甘琨张江鹏田志怀宋士增李会杰
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
周大伟
优先权 ：
CN201921167662.2
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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