一种生长砷化镓单晶的抽真空装置
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种生长砷化镓单晶的抽真空装置,包括抽真空系统、加热系统和容器支撑系统。加热系统包括加热器和加热器升降装置,加热器升降装置由涡轮、导轨和升降手轮组成;容器支撑系统由底座、固紧螺钉、轴承座、滚动轴承、旋转手轮、支撑杆和支撑托组成,旋转手轮和滚动轴承配合固定在轴承座上,轴承座通过固紧螺钉固定在底座上,旋转手轮用于带动整个容器支撑系统旋转,支撑杆垂直固定在旋转手轮上,支撑杆穿过加热器底部的孔,支撑托固定在支撑杆上,用于放置待抽真空的容器。采用这种改造结构的抽真空装置后,在砷化镓单晶生长工艺中可提供加热处理,能有效去除真空容器内的气态杂质,同时还可以提高密封容器的真空度。在多温区电阻丝加热器的内壁增设马弗管后,可以提高加热器内部热场的均匀性,使得加热效果更好。

基本信息
专利标题 :
一种生长砷化镓单晶的抽真空装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620160774.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-11-23
授权号 :
CN200992590Y
授权日 :
2007-12-19
发明人 :
孙强周传新王建利
申请人 :
中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请人地址 :
300220天津市河西区陈塘庄工业区岩峰路1号
代理机构 :
信息产业部电子专利中心
代理人 :
梁军
优先权 :
CN200620160774.1
主分类号 :
C30B11/00
IPC分类号 :
C30B11/00  C30B29/42  C30B35/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2011-02-02 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101035926664
IPC(主分类) : C30B 11/00
专利号 : ZL2006201607741
申请日 : 20061123
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20091223
2007-12-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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