本实用新型公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备，包括形状相适配的石墨坩埚和热解氮化硼坩埚，所述热解氮化硼坩埚嵌套在所述石墨坩埚的内部，所述石墨坩埚和所述热解氮化硼坩埚的下端设置有籽晶嵌头，所述籽晶嵌头的内部开设有用于放置籽晶的通槽，且所述籽晶的底端设置有籽晶防护底座；所述热解氮化硼坩埚的内部设置有砷化镓原料，所述砷化镓原料内设置有若干个上端开口的用于放置掺杂剂的放置插槽，通过在籽晶的端部设置籽晶防护底座，可以在放置籽晶过程中，避免籽晶与外部直接发生碰撞，从而对籽晶进行良好的防护，进料槽配合密封插管方便对掺杂剂的添加，且便于后续对掺杂剂添加量进行更改。