一种VGF法砷化镓单晶用脱舟器
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摘要
本实用新型公开了一种VGF法砷化镓单晶用脱舟器,包括箱体，所述箱体通过转轴安装有活动门，所述箱体的内底面安装有竖直的伸缩杆和固定竖板，所述伸缩杆的顶端固定连接有托盘，所述托盘的上表面放置有坩埚本体，下表面滑动连接有收集槽，所述固定竖板的顶端开设有螺纹孔，所述螺纹孔内部螺纹连接有螺纹杆，所述螺纹杆的外端焊接有固定把手，内端通过轴承焊接有夹具，所述箱体的内侧壁和顶壁均通过安装座安装有加热管。综上所述，本实用新型的有益效果在于：利用砷化镓晶体与氧化硼的熔点差值，通过加热管对坩埚本体进行加热，使氧化硼熔化，从而使砷化镓晶体脱离坩埚本体；利用收集槽对熔化后的氧化硼进行回收，便于氧化硼的二次利用。
基本信息
专利标题 ：
一种VGF法砷化镓单晶用脱舟器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920727381.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-21
授权号 ：
CN210215616U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
代晓波
申请人 ：
独山中科晶元信息材料有限公司
申请人地址 ：
贵州省黔南布依族苗族自治州独山县麻万镇麻抹组独山中科晶元
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
谈杰
优先权 ：
CN201920727381.1
主分类号 ：
C30B29/42
IPC分类号 ：
C30B29/42 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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