一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法。其中,一种用于氧化镓晶体生长的模具包括:两个模具板,两个模具板间隔设置并在两个模具板之间形成间隙,并且每个模具板上端的横截面为非直角的平行四边形结构。该模具所设计的平行四边形结构与晶体生长的形貌完全贴合,减小了应力的产生,从而保障了(001)面氧化镓晶体的稳定生长,有效避免了氧化镓晶体生长失败以及提高了生长出的(001)面氧化镓晶体的质量,并且,所设计的向外突出的圆弧形结构又实现了较大的径向温度梯度,使得晶体放肩速度得到有效控制,使晶体内部原子有充足的时间规则排列,从而解决了(001)面氧化镓晶体生长容易产生多晶的问题。
基本信息
专利标题 :
一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114457414A
申请号 :
CN202110790896.8
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2021-07-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈政委胡开朋吕进辛泽文邓德辉赵德刚吴忠亮
申请人 :
陈政委
申请人地址 :
北京市海淀区西土城路10号5
代理机构 :
北京维正专利代理有限公司
代理人 :
张鸿基
优先权 :
CN202110790896.8
主分类号 :
C30B15/34
IPC分类号 :
C30B15/34 C30B29/16
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/34
申请日 : 20210713
申请日 : 20210713
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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