掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用作GaInN基蓝光半导体外延生长的掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法。该掺稀土元素的氧化镓荧光衬底单晶体的分子式为：β－Ga2－2x (RE)2xO3，其中RE＝Ce或Tm，x＝0.001～0.1。该晶体采用浮区法进行生长。该荧光衬底适合于外延生长高质量GaInN基蓝光半导体薄膜，与GaInN基蓝光相结合能实现发光二极管的白光发射。
基本信息
专利标题 ：
掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1831084A
申请号 ：
CN200610024095.6
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
夏长泰张俊刚徐军周国清吴锋裴广庆吴永庆
申请人 ：
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 ：
201800上海市800－211邮政信箱
代理机构 ：
上海新天专利代理有限公司
代理人 ：
张泽纯
优先权 ：
CN200610024095.6
主分类号 ：
C09K11/80
IPC分类号 ：
C09K11/80
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K11/00
发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料
C09K11/08
含无机发光材料
C09K11/77
含稀土金属
C09K11/80
含铝或镓
法律状态
2008-03-19 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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