工程衬底及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种工程衬底，从下往上依次包括氮化铝陶瓷基底、组合介质层、氮化铝层，氮化铝层的氮极性面与所述组合介质层的表面贴合，组合介质层是电绝缘体。由于氮化铝陶瓷基底和氮化铝层的热导性能优秀，氮化铝层和组合介质层介电性能良好；同时氮化铝层是氮化铝外延种层，与其上后续生长氮化物外延结构晶格系数及热膨胀系数匹配；且本发明公开的制备方法中，通过第一介质层和第二介质层将多晶的氮化铝陶瓷基底和单晶的氮化铝层直接键合，介质层隔绝了氮化铝陶瓷基底内的杂质向氮化铝层的扩散；所以制备的工程衬底可以解决器件散热、耐高压问题，并且与其上生长的外延晶格系数及热膨胀系数匹配，从而改善器件性能和质量，延长器件的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
工程衬底及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566470A
申请号 ：
CN202210128591.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范谦顾星倪贤锋
申请人 ：
东南大学苏州研究院
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区林泉街399号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
柏尚春
优先权 ：
CN202210128591.5
主分类号 ：
H01L23/14
IPC分类号 ：
H01L23/14 H01L23/15 H01L23/373 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/14
按其材料或它的电性能区分的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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