纳米图形衬底的制备方法
公开
摘要
本发明公开一种纳米图形衬底的制备方法，其通过对依次设置在透明衬底上的透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥台形的第二孔洞和在透光层上形成第三孔洞；并通过去除第一掩膜，形成第一坯体，以及在第二孔洞和第三孔洞中制备第二掩膜，再对透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥形的第一凸起和在透光层上形成第二凸起的方式，在衬底上形成具有严格周期的图形，而且，由于在衬底上形成的图形的图案可以根据第二孔洞的设置实现，且刻蚀过程无需借助昂贵的专用设备，可以在不提高成本的基础上，在大尺寸的衬底上灵活地制备图案复杂的图形。
基本信息
专利标题 ：
纳米图形衬底的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300588A
申请号 ：
CN202111651524.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘宁炀李祈昕杨荣宜曾昭烩任远何晨光陈志涛
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李彬彬
优先权 ：
CN202111651524.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/20 H01L33/22
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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