一种用于LED生长的复合图形化衬底、外延片和制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明实施例公开了一种用于LED生长的复合图形化衬底、外延片和制备方法。该复合图形化衬底包括蓝宝石衬底以及位于蓝宝石衬底的一侧表面的多个不对称凸起结构,不对称凸起结构的顶部中心点和底部中心点的连接线与蓝宝石衬底表面不垂直,不对称凸起结构包括蓝宝石层和异质层,蓝宝石层位于蓝宝石衬底的表面一侧,异质层位于蓝宝石层背离蓝宝石衬底的一侧。本实施例的技术方案,通过在蓝宝石衬底的c面上形成多个呈周期排布的不对称凸起结构,当光线在碰到不对称凸起结构的具有倾斜角度的侧边时,使得光线发生更多的反射,增强光的多次反射折射产生的随机化效应,增加出光几率,进而提高光提取效率,最终改善GaN基LED的能量利用率。

基本信息
专利标题 :
一种用于LED生长的复合图形化衬底、外延片和制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114267761A
申请号 :
CN202111577930.X
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-12-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张剑桥罗凯张小琼
申请人 :
广东中图半导体科技股份有限公司
申请人地址 :
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业北二路4号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
王风茹
优先权 :
CN202111577930.X
主分类号 :
H01L33/22
IPC分类号 :
H01L33/22  H01L33/00  
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/22
申请日 : 20211222
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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