图形化衬底和LED外延结构
授权
摘要
本实用新型提供一种图形化衬底和LED外延结构，图形化衬底包括基板、缓冲层以及图形化层；缓冲层设于所述基板之上，图形化层设于缓冲层背离基板的一侧；图形化层包含多个微结构，相邻两个微结构之间间隔一间隙露出缓冲层形成生长区，微结构的表面形成多个凹陷的次级微结构。通过将表面形成有次级微结构的微结构设于缓冲层之上，从而，一方面，通过微结构表面的次级微结构，能够提前释放在生长过程中产生的应力，也可对有源层产生的光形成多次反射，增加轴向出光率；另一方面，将微结构设于缓冲层之上，减少了半导体层侧向生长产生的穿透位错，同时提高了半导体层和图形化衬底之间的折射率差值，更有利于LED出光效率的提高。
基本信息
专利标题 ：
图形化衬底和LED外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020962372.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN211858674U
授权日 ：
2020-11-03
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请人地址 ：
江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈晓敏
优先权 ：
CN202020962372.3
主分类号 ：
H01L33/22
IPC分类号 ：
H01L33/22 H01L33/12 H01L33/10
法律状态
2020-11-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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