一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底，包括：步骤S1：于基板上形成一掩膜层；所述掩膜层上具有多个第一突出部；步骤S2：对所述基板进行湿法蚀刻以形成一过渡层；步骤S3：对所述过渡层进行表面修饰，以形成所述图形化衬底。本发明的有益效果在于：通过掩膜层和过渡层实现了对衬底的二次加工，在衬底表面形成较为准确的微结构的同时实现了对衬底表面的进一步修饰，避免了现有技术中因离子蚀刻工艺导致的器件表面损伤的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420555A
申请号 ：
CN202111643609.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓信甫唐宝国丁立
申请人 ：
上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111643609.7
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/308
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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