绝缘衬底和半导体器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种绝缘衬底设有：作为基底构件的金属基底；用气溶胶淀积法形成在金属基底上的室温冲击固化膜；和用冷喷涂法形成在绝缘层上的热喷涂涂层的电路图案。一种半导体器件包含这种绝缘衬底，从而提高了热辐射特性。
基本信息
专利标题 ：
绝缘衬底和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783473A
申请号 ：
CN200510128716.0
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冈本健次
申请人 ：
富士电机控股株式会社
申请人地址 ：
日本川崎县
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李玲
优先权 ：
CN200510128716.0
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/12 H01L23/36
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2011-11-09 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101204910846
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2005101287160
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士电机系统株式会社
变更后权利人 : 富士电机株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川县
登记生效日 : 20110921
号牌文件序号 : 101204910846
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2005101287160
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士电机系统株式会社
变更后权利人 : 富士电机株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川县
登记生效日 : 20110921
2011-02-23 ：
授权
2010-07-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003161571
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利申请号 : 2005101287160
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士电机控股株式会社
变更后权利人 : 富士电机电子技术株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本川崎县
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20100604
号牌文件序号 : 101003161571
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利申请号 : 2005101287160
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士电机控股株式会社
变更后权利人 : 富士电机电子技术株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本川崎县
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20100604
2010-07-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003161572
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利申请号 : 2005101287160
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士电机电子技术株式会社
变更后权利人 : 富士电机系统株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20100604
号牌文件序号 : 101003161572
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利申请号 : 2005101287160
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士电机电子技术株式会社
变更后权利人 : 富士电机系统株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20100604
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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