半导体装置及该半导体装置用绝缘衬底
专利权的终止
摘要
本发明提供在半导体装置的温度变化时，防止在构成绝缘衬底的陶瓷衬底上发生裂纹的半导体装置。本发明的半导体装置，其中包括：包含设有第一主面和第二主面的陶瓷衬底、固定于第一主面的第一金属导体及固定于第二主面的第二金属导体的绝缘衬底；搭载到第一主面的第一金属导体上的半导体元件；以及与第二主面的该第二金属导体接合，并承放绝缘衬底的基片，第二金属导体包括固定于第二主面的接合区和设于接合区周围的非接合区。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及该半导体装置用绝缘衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835223A
申请号 ：
CN200610058819.9
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山田顺治
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨凯
优先权 ：
CN200610058819.9
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2018-03-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20100526
终止日期 : 20170228
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20100526
终止日期 : 20170228
2010-05-26 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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