互连衬底和半导体器件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种互连衬底具有：基底绝缘膜，在其下表面中具有凹陷部；位于凹陷部中的第一互连；形成在基底绝缘膜中的通路孔；以及第二互连，其经由通路孔内的导体连接到第一互连并且形成在基底绝缘膜的上表面上，其中互连衬底包括：由第一互连形成的第一互连图形，其至少包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的线性图形；以及翘曲控制图形，其位于基底绝缘膜的下表面中的凹陷部中，并且以抑制互连衬底在第一方向的两侧向底侧翘曲的方式形成。
基本信息
专利标题 ：
互连衬底和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819176A
申请号 ：
CN200610006815.6
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小川健太塚野纯前田武彦下户直典山道新太郎马场和宏
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙志湧
优先权 ：
CN200610006815.6
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/12 H05K1/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2017-12-22 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/498
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京
2013-08-21 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101653484125
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2006100068156
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川
变更后权利人 : 日本神奈川
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日本电气株式会社
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20130802
号牌文件序号 : 101653484125
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2006100068156
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川
变更后权利人 : 日本神奈川
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日本电气株式会社
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20130802
2011-01-05 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101058488205
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2006100068156
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
变更事项 : 共同专利权人
变更前 : 日本电气株式会社
变更后 : 日本电气株式会社
号牌文件序号 : 101058488205
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2006100068156
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
变更事项 : 共同专利权人
变更前 : 日本电气株式会社
变更后 : 日本电气株式会社
2008-11-26 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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