电绝缘衬底
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种在其上制作半导体或太阳能电池的由非单晶物质构成的电绝缘衬底，用等离子CVD(化学汽相淀积)法或溅射法淀积在基片上，含碳量按原子算不低于10％。电绝缘衬底比较薄而且有优越的耐热性和高的介质击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
电绝缘衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85101843A
申请号 ：
CN85101843.2
公开（公告）日 ：
1987-01-10
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1007385B
授权日 ：
1990-03-28
发明人 ：
西村国夫中山威久津下和永太和田目久
申请人 ：
钟渊化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪市
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
李先春
优先权 ：
CN85101843.2
主分类号 ：
H01B3/00
IPC分类号 ：
H01B3/00 H01L21/00 C23C16/22 C23C14/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B3/00
按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择
法律状态
1996-05-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-01-02 ：
授权
1990-03-28 ：
审定
1988-07-20 ：
实质审查请求
1987-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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