HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法

实质审查的生效

摘要

本发明公开了一种HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法。所述基于GaN衬底的HEMT外延结构包括在N面极性的半绝缘GaN衬底上依次形成的界面处理层、势垒层、隔离层、沟道层和接触层。本发明基于N面GaN衬底的特性，提出全新外延结构的HEMT器件，与传统结构相比具有更高的频率特性；以及，GaN衬底以及半绝缘特性能够通过前期制备完成，可以避免后期生长高阻外延层带来的不利影响；并且同质外延不存在异质衬底上高密度位错缓冲层的问题，在外延前进行适当的界面处理，可完全阻断漏电通道的产生。

基本信息

专利标题：

HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114420753A

申请号：

CN202011174655.2

公开（公告）日：

2022-04-29

申请日：

2020-10-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王国斌王建峰徐科

申请人：

江苏第三代半导体研究院有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

赵世发

优先权：

CN202011174655.2

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/10 H01L21/335

法律状态

2022-05-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20201028

2022-04-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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