衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件
授权
摘要
本实用新型公开的衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件，包括HEMT区以及LED区；其中，所述HEMT区包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、钝化层、栅源电极、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒层和AlN/GaN缓冲层；所述LED区包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、钝化层、n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层和p电极；所述HEMT区的AlGaN势垒层与GaN沟道层的界面处为HEMT区的AlGaN/GaN异质结；所述HEMT区的AlGaN/GaN异质结与LED区的n‑GaN层相连，实现器件导通，能够将电流驱动的LED转变为电压驱动。本实用新型利用GaN HEMT高频率、高功率的优势，可将原本由电流驱动的LED转变为电压驱动，且内部无需电极互联，减小器件寄生电阻，可用于实现集成化、微型化、稳定的可见光通信系统。
基本信息
专利标题 ：
衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922349478.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN212209491U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
李国强姚书南孙佩椰万利军阙显沣
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈宏升
优先权 ：
CN201922349478.6
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L29/06 H01L29/778 H01L33/06 H01L33/32 H01L21/335 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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