衬底硬化方法及所得器件
授权
摘要
本发明公开了一种包含一个或多个器件(例如，光电器件、集成电路)的多层衬底结构。该结构具有操作衬底，该操作衬底具有预定厚度并且杨氏模量为约1MPa－约130GPa。该结构还具有连接至操作衬底的充分结晶材料层。优选地，该充分结晶材料层的厚度为约100μm－约5mm。该结构在充分结晶材料层上具有分裂表面，并且分裂膜的表面粗糙度小于200。在材料层上设置有至少一个或更多个光电器件。
基本信息
专利标题 ：
衬底硬化方法及所得器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101248519A
申请号 ：
CN200680014752.7
公开（公告）日 ：
2008-08-20
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佛朗克斯·J·海恩勒哈丽·罗伯特·柯克詹姆斯·安德鲁·苏利凡
申请人 ：
硅源公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
肖善强
优先权 ：
CN200680014752.7
主分类号 ：
H01L21/46
IPC分类号 ：
H01L21/46 H01L21/30 H01L21/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
2011-08-24 ：
授权
2008-10-15 ：
实质审查的生效
2008-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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