具有高填缝能力的方法及所得的器件结构
发明专利申请公布后的驳回
摘要
提供了用于填充沟槽的方法及所得的器件结构。该方法包括：在沟槽中形成第一层以部分地填充沟槽；从沟槽去除第一层的至少一部分；以及在第一层上形成第二层，其中形成第二层是在至少700摄氏度的温度和以至少1.6的气流比来执行的，该气流比等于第一气体的第一气流速率比第二气体的第二气流速率。在具体实施例中，该方法包括：通过在该温度和以该气流比率与存在于第一层中的污染物反应，从第一层去除污染物。在具体实施例中，去除第一层的至少一部分包括蚀刻第一层的该部分。
基本信息
专利标题 ：
具有高填缝能力的方法及所得的器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979796A
申请号 ：
CN200510111129.0
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪钉崇
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510111129.0
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/31 H01L27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2009-07-29 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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