一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件新结构及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件新结构，所述新型平面栅SiC MOSFET器件的元胞结构包括：漏极金属电极、N+型衬底和N‑漂移区；N‑漂移区(3)顶部设载流子存储层和P‑base区，载流子存储层一(4)中设P型阻挡区(6)和P+区(8)，载流子存储层二(41)位于P型阻挡区(6)与P+区(8)之间；P‑base区(5)内设N+区(7)和P+区(8)，N+区(7)和P+区(8)与源极金属电极(11)相连。本发明提高了SiC MOSFET器件的抗总剂量辐射(γ射线等)和抗单粒子辐射能力，可应用在航空航天等空间极端环境中。
基本信息
专利标题 ：
一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件新结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388621A
申请号 ：
CN202210059843.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁世维王俊杨余俞恒裕陈炳如张锦奕
申请人 ：
湖南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
代理机构 ：
南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘丹
优先权 ：
CN202210059843.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L23/552 H01L21/336
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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