无毛刺镀膜器件制备方法及镀膜贴合结构、器件拾取结构
公开
摘要
本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种无毛刺镀膜器件制备方法及镀膜贴合结构、器件拾取结构，包括：提供镀膜器件；将镀膜器件的电路板面与胶带的胶层表面进行贴合，得到包括镀膜器件和胶带的镀膜贴合结构，其中，电路板面与胶带的胶层表面贴合时，所述镀膜器件的侧壁外侧的所述胶层表面形成有凹陷处；在镀膜贴合结构上形成镀膜层，分离后得到镀膜层无毛刺的镀膜器件。本发明在胶带表面形成相应的凹陷处，使得在镀膜贴合结构上形成镀膜层后，镀膜器件的侧壁上的镀膜层和凹陷处胶带表面的镀膜层的接触夹角由原来的90°直角变成大于90°小于180°的钝角，在进行分离时沿镀膜层表面纵向拉伸断裂，最终得到断裂截面无毛刺的镀膜器件。
基本信息
专利标题 ：
无毛刺镀膜器件制备方法及镀膜贴合结构、器件拾取结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622164A
申请号 ：
CN202210231809.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邢发军钟屿郏晓彤
申请人 ：
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号
代理机构 ：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
朱林军
优先权 ：
CN202210231809.X
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22 C23C14/50 H01L21/683
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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