圆形对称结构的LDMOS器件及其制备方法
授权
摘要
本发明提供一种圆形对称结构的LDMOS器件及其制备方法，包括：衬底、栅介质层和栅电极；衬底上划分有第一区域，第一区域形成有高压阱区；第一区域包括第二区域和第三区域；第二区域形成有体区，第三区域形成有漂移区，漂移区和体区位于高压阱区内；第二区域包括第四区域和第五区域，第四区域经离子注入形成源区；第三区域包括第六区域和第七区域；第七区域经离子注入形成漏区；栅介质层形成在第五区域和第六区域上方；栅介质层包括薄氧区和场氧区；场氧区表面划分有第八区域；栅电极设置在第八区域与薄氧区上。采用中心对称布局，消除工艺梯度误差，提升量产工艺的良率、均匀性和一致性；采用圆形场板结构，提升器件的击穿电压和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
圆形对称结构的LDMOS器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113990942A
申请号 ：
CN202111623306.9
公开（公告）日 ：
2022-01-28
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
CN113990942B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
赵东艳王于波郁文陈燕宁刘芳吴波余山付振朱松超王帅鹏
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
李红
优先权 ：
CN202111623306.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/40 H01L29/78 H01L21/28 H01L21/336
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2022-02-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-01-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
