GaN器件结构及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供包括半导体衬底、GaN沟道层及势垒层的半导体基底，制备绝缘层、源极金属、漏极金属、栅极金属、源极互联柱、漏极互联柱，在切割道区制备引出沟槽，在引出沟槽的侧壁及底部形成连续的屏蔽引出金属层，制备源极互联金属及漏极互联金属。本发明在器件的切割道区内刻蚀出引出沟槽，引出沟槽底部露出半导体衬底，在引出沟槽的侧壁及底部形成屏蔽引出金属引出层，可以从正面引出半导体衬底接地电极，器件四周的引出沟槽侧壁上也形成金属侧壁，具有更强的屏蔽效果，增强了器件的抗干扰能力。屏蔽引出金属层可以在互联金属形成时一并形成，简化工艺。
基本信息
专利标题 ：
GaN器件结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582725A
申请号 ：
CN202011377925.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王黎明郑晨焱肖霞何雍春张小辛
申请人 ：
华润微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
佟婷婷
优先权 ：
CN202011377925.X
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L23/552 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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