本申请实施例涉及一种存储器件、半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供基底，基底中开设有第一沟槽，第一沟槽的底部和侧壁形成有介质层；于介质层上形成第一导电层；去除部分第一导电层，以裸露靠近位于第一沟槽开口处的介质层，剩余的第一导电层于第一沟槽中形成第二沟槽，第二沟槽的底部的宽度小于第二沟槽的顶部的宽度；于第一沟槽内形成第二导电层；其中，第二导电层在第一导电层上的第一生长速率大于第二导电层在介质层上的第二生长速率。使得形成第二导电层的过程中不会出现第一沟槽提前封口的问题，避免了空洞的产生，提高了由第一导电层和第二导电层构成的导电结构的性能，从而提高了半导体结构的可靠性。