半导体结构及其制备方法和三维存储器件

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摘要

本发明提供一种半导体结构及其制备方法和三维存储器件，所述半导体结构包括至少一个堆叠单元，所述堆叠单元包括：第一堆叠结构，所述第一堆叠结构中形成有贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔；填孔材料层，填充于所述第一沟道孔中；第二堆叠结构，形成于所述第一堆叠结构和所述填孔材料层上；第二沟道孔，形成于所述第二堆叠结构和所述填孔材料层中，所述第二沟道孔包括贯穿所述第二堆叠结构的主体部以及延伸进入所述填孔材料层中的延伸部，所述主体部的孔径大于所述延伸部的孔径以形成台阶孔。利用本发明，可以避免进行上层沟道孔蚀刻时破坏下层沟道孔的侧壁，并且工艺步骤少，可有效节约成本。

基本信息

专利标题：

半导体结构及其制备方法和三维存储器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111162082A

申请号：

CN202010000496.8

公开（公告）日：

2020-05-15

申请日：

2020-01-02

授权号：

CN111162082B

授权日：

2022-05-27

发明人：

刘隆冬王孝进

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

陈敏

优先权：

CN202010000496.8

主分类号：

H01L27/11524

IPC分类号：

H01L27/11524 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11582