半导体结构及其制备方法和三维存储器件
授权
摘要
本发明提供一种半导体结构及其制备方法和三维存储器件,所述半导体结构包括至少一个堆叠单元,所述堆叠单元包括:第一堆叠结构,所述第一堆叠结构中形成有贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔;填孔材料层,填充于所述第一沟道孔中;第二堆叠结构,形成于所述第一堆叠结构和所述填孔材料层上;第二沟道孔,形成于所述第二堆叠结构和所述填孔材料层中,所述第二沟道孔包括贯穿所述第二堆叠结构的主体部以及延伸进入所述填孔材料层中的延伸部,所述主体部的孔径大于所述延伸部的孔径以形成台阶孔。利用本发明,可以避免进行上层沟道孔蚀刻时破坏下层沟道孔的侧壁,并且工艺步骤少,可有效节约成本。
基本信息
专利标题 :
半导体结构及其制备方法和三维存储器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111162082A
申请号 :
CN202010000496.8
公开(公告)日 :
2020-05-15
申请日 :
2020-01-02
授权号 :
CN111162082B
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
刘隆冬王孝进
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈敏
优先权 :
CN202010000496.8
主分类号 :
H01L27/11524
IPC分类号 :
H01L27/11524 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11582
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的,例如,NAND
法律状态
2022-05-27 :
授权
2020-06-09 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20200102
申请日 : 20200102
2020-05-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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