半导体结构及其制备方法和存储器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成初始结构，初始结构包括第一栅介质层和位于第一栅介质层上的第一栅极层，第一栅极层具有第一厚度；对初始结构进行氧化处理，在第一栅介质层与第一栅极层之间形成第二厚度的第二栅介质层，第二厚度小于第一厚度。上述半导体结构的制备方法，通过对初始结构中的第一栅极层进行氧化处理，在第一栅极层的表面生长得到高质量的第二栅介质层，消除了第一栅极层和第一栅介质层之间的界面处的悬挂键，提高了界面处的成膜质量。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法和存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361019A
申请号 ：
CN202210025444.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈涛沈宇桐
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202210025444.5
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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