半导体结构和存储器
授权
摘要
一种半导体结构和一种存储器，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底内形成有至少一个长条状有源区，所述有源区被隔离结构包围；同时位于所述有源区及所述有源区两侧的隔离结构内的栅极凹槽，所述栅极凹槽的长度方向与所述有源区的长度方向相交，所述栅极凹槽包括位于所述有源区内的第一凹槽和位于所述隔离结构内的第二凹槽，所述第一凹槽底部的有源区顶部表面平坦，边缘圆滑；位于所述栅极凹槽内的栅极结构。上述方法形成的半导体结构的性能提高。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构和存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922134481.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN210837653U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201922134481.6
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L29/423 H01L21/8234 H01L27/088 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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