半导体结构和存储器

授权

摘要

本实用新型涉及一种半导体结构，一种存储器，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的竖直型晶体管；与所述竖直型晶体管底部连接，且位于所述竖直型晶体管底部与所述衬底之间的位线。所述半导体结构内的竖直晶体管的平面尺寸较小。

基本信息

专利标题：

半导体结构和存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020670046.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-27

授权号：

CN211719592U

授权日：

2020-10-20

发明人：

朱一明平尔萱

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN202020670046.5

主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L27/088 H01L21/8234 H01L27/108 H01L27/11507 H01L27/22 H01L27/24 H01L21/8242