半导体结构与半导体存储器
授权
摘要
本公开涉及存储器技术领域，关于一种半导体结构与半导体存储器。该半导体结构包括：衬底、隔离结构、字线沟槽及字线，隔离结构形成于所述衬底中，并在所述衬底中界定出多个有源区；字线沟槽形成于所述衬底与所述隔离结构上；字线设于所述字线沟槽中，所述字线穿过所述有源区及所述隔离结构；其中，在所述字线沟槽的深度方向上，位于所述有源区上的所述字线的高度大于至少部分位于所述隔离结构上的所述字线的高度。本公开提供的半导体结构，能够降低工作状态时有源隔离区域的字线对于相邻有源区域的存储晶体管电性的影响，减少泄露电流。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构与半导体存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921679320.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-09
授权号 ：
CN210296376U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
李宁江文涌
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201921679320.9
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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