半导体存储器件

授权

摘要

本实用新型涉及一种半导体存储器件。半导体存储器件包括半导体基板、电容接触孔、第一导电结构、间隔结构、空气间隙和金属导线。电容接触孔包括上部和下部，且上部的孔径大于下部的孔径；第一导电结构位于电容接触孔内；间隔结构设置于上部的侧壁上，空气间隙设置于间隔结构背向电容接触孔的一侧。金属导线与电容接触孔一一对应且与第一导电结构电连接，并各覆盖上部的一侧的空气间隙和间隔结构的顶部。通过形成空气间隙，以降低相邻的电容接触孔金属导线之间、以及电容接触孔金属导线与位线金属之间的耦合效应，以及通过形成T型的电容接触孔降低其自身的深宽比，改善填充中心的中空现象，简化电容接触孔金属导线的制作工艺。

基本信息

专利标题：

半导体存储器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921705929.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-10-12

授权号：

CN211017075U

授权日：

2020-07-14

发明人：

陈龙阳

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

景怀宇

优先权：

CN201921705929.9

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108