具有软错误率免疫晶胞结构的半导体芯片
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种具有软错误率免疫晶胞结构的半导体芯片，包括形成在深N型井区中的记忆体元件。该记忆体元件包括一记忆体晶胞。该记忆体晶胞包括第一储存节点与第二储存节点。记忆体晶胞亦包括第一电阻器与第二电阻器分别电性连接至第一储存节点与第二储存节点。记忆体晶胞亦包括第一电容器与第二电容器分别电性连接至第一储存节点与第二储存节点。一内层介电层位于记忆体元件上。该内层介电层包括至少一不含硼的介电材料。一内金属介电层位于内层介电层上，该内金属介电层的介电常数小于约3。聚亚酰胺层位于内金属介电层上。聚亚酰胺层的厚度小于约20微米。
基本信息
专利标题 ：
具有软错误率免疫晶胞结构的半导体芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783489A
申请号 ：
CN200510117373.8
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖忠志
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510117373.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/108 H01L27/11 H01L27/105 H01L23/552 H01L23/556
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2008-06-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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