动态随机存取存储器及制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种动态随机存取存储器及其制作方法，省去了埋入式掺杂带窗的制作，以提高元件效能。动态随机存取存储器包括配置于衬底的第一沟渠中的沟渠式电容器、配置于衬底的第二沟渠中的导电层、一栅极结构与配置于栅极结构二侧的衬底表面上的导电层。第二沟渠的深度小于第一沟渠的深度，且第二沟渠底部与第一沟渠部分重叠。配置于第二沟渠中的导电层与沟渠式电容器的导电层电连接。栅极结构配置于衬底上。栅极结构一侧的导电层与配置于第二沟渠中的导电层电连接。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存储器及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1956169A
申请号 ：
CN200510118409.4
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2005-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈昱企周志文
申请人 ：
茂德科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118409.4
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2011-01-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101029352159
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005101184094
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20091130
号牌文件序号 : 101029352159
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005101184094
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20091130
2009-01-21 ：
授权
2007-06-27 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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2、
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