动态随机存取存储器及其制造方法
实质审查的生效
摘要
提供了一种DRAM，其包括硅基板、埋藏字线及主动区。硅基板具有载体表面。埋藏字线埋藏在硅基板中。主动区位于载体表面上。埋藏字线与主动区相交。每一埋藏字线在主动区中的一者中具有第一宽度，且在主动区外具有第二宽度，并且第一宽度大于第二宽度。亦提供了一种DRAM的制造方法。借由DRAM的上述配置，可减少字线干扰及单一单元故障，并且可提高DRAM的密度。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373762A
申请号 ：
CN202111170494.4
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施江林林育廷
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛恒
优先权 ：
CN202111170494.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20211008
申请日 : 20211008
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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