存储器装置及其制造方法
授权
摘要
本发明提出了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括具有沟槽的半导体基板；氧化层，形成于沟槽的侧壁上；及埋入式字线，形成于沟槽中。氧化层包括：第一部分，自半导体基板的顶面向下延伸；第二部分，自沟槽的底部向上延伸；以及第三部分，形成于第一部分与第二部分之间，并且邻接于第一部分与第二部分。第三部分朝向第二部分逐渐缩窄。本发明的存储器装置及其制造方法，可降低生产所耗费的时间与成本，并在降低工艺复杂度及生产成本的前提下，有效地改善存储器装置的可靠度及良品率。
基本信息
专利标题 ：
存储器装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109216359A
申请号 ：
CN201710535737.7
公开（公告）日 ：
2019-01-15
申请日 ：
2017-07-04
授权号 ：
CN109216359B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
任楷张维哲真锅和孝竹迫寿晃池田典昭田中义典
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭晓宇
优先权 ：
CN201710535737.7
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-02-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20170704
申请日 : 20170704
2019-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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