存储器装置及其制造方法
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摘要
一种存储器装置，包括通过数个绝缘条带所隔离的一导电条带叠层，此导电条带叠层中的导电条带在一第一方向上延伸。存储器装置包括多个半圆柱形垂直通道结构，延伸通过此导电条带叠层中的导电条带，各半圆柱形垂直通道结构具有一分割的椭圆形截面，其具有相对于第一方向呈倾斜的一主轴。存储器装置包括位于导电条带的侧壁上的数据储存结构。半圆柱形垂直通道结构包括半导体薄膜，这些半导体薄膜具有数个外表面，其与导电条带的侧壁上的数据储存结构接触。
基本信息
专利标题 ：
存储器装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110957327A
申请号 ：
CN201811328293.0
公开（公告）日 ：
2020-04-03
申请日 ：
2018-11-08
授权号 ：
CN110957327B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
叶腾豪吕函庭
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张宇园
优先权 ：
CN201811328293.0
主分类号 ：
H01L27/11578
IPC分类号 ：
H01L27/11578 H01L27/11551
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11578
申请日 : 20181108
申请日 : 20181108
2020-04-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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