形成沟槽电容于衬底的方法及沟槽电容
专利权的终止
摘要
本发明提供一种沟槽电容的形成方法及沟槽电容，该方法包括：去除一衬底的一部分以形成一沟槽于一衬底中；形成一埋入隔离层于衬底中；形成一沟槽电容的第一电极于衬底中，其至少位于沟槽较低的部分的周围区域；形成一沟槽电容的介电层；及形成一沟槽电容的第二电极于沟槽中。埋入隔离层与沟槽相交，并且具有一或多个缺口以提供埋入隔离层以上的第一衬底区以及埋入隔离层以下的第二衬底区之间的本体接触。
基本信息
专利标题 ：
形成沟槽电容于衬底的方法及沟槽电容
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1862764A
申请号 ：
CN200510118408.X
公开（公告）日 ：
2006-11-15
申请日 ：
2005-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李岳川董明圣
申请人 ：
茂德科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118408.X
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/02 H01L21/8242 H01L29/92 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2010-12-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101028286005
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL200510118408X
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20091130
号牌文件序号 : 101028286005
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL200510118408X
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20091130
2008-05-14 ：
授权
2007-01-10 ：
实质审查的生效
2006-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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