具有混合表面取向衬底的沟槽电容器
专利权的终止
摘要
在具有混合表面取向的单个芯片上形成深沟槽电容器存储器件(50)和逻辑器件(32，40)的方法。该方法允许制造具有增强的性能的系统级芯片(SoC)，包括在(100)表面取向硅上的n型互补金属氧化物半导体(CMOS)器件SOI阵列和逻辑晶体管，以及在(110)表面取向硅上的P型CMOS逻辑晶体管。另外，该方法制造在混合表面取向SOI和体衬底中的硅衬底沟槽电容器。因为用于硅外延生长的阵列掩模开口和构图在相同的步骤中用相同的掩模完成，所以实现了成本的降低。
基本信息
专利标题 ：
具有混合表面取向衬底的沟槽电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101057323A
申请号 ：
CN200580038468.9
公开（公告）日 ：
2007-10-17
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程慷果C·J·拉登斯
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200580038468.9
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2012-01-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101169509690
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005800384689
申请日 : 20051109
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20101109
号牌文件序号 : 101169509690
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005800384689
申请日 : 20051109
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20101109
2009-07-01 ：
授权
2007-12-12 ：
实质审查的生效
2007-10-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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