增加沟槽表面区域的选择性蚀刻
专利权的视为放弃
摘要
衬底中形成的沟槽壁的表面区域增加了。阻挡层形成于沟槽壁上，以使阻挡层在靠近沟槽的角处更薄，并在沟槽的角之间更厚。通过阻挡层将掺杂剂引入衬底以形成靠近沟槽的角处的衬底中更高掺杂区域和在沟槽的角之间的更低掺杂区域。除去阻挡层，并以比衬底的更高掺杂区域更高的速率蚀刻衬底的更低掺杂区域的方式蚀刻沟槽壁，将沟槽加宽和加长并在沟槽壁的相交处形成圆角。
基本信息
专利标题 ：
增加沟槽表面区域的选择性蚀刻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841672A
申请号 ：
CN200610008990.9
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·库德尔卡H·图斯K·塞特尔迈尔
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王岳
优先权 ：
CN200610008990.9
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2009-11-04 ：
专利权的视为放弃
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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