衬底表面和室表面的蚀刻剂处理工艺
授权
摘要
本发明的一种实施方式提供了一种处理含硅表面的方法，该方法包括通过慢蚀刻工艺(例如，约＜100/min)去除污染物和/或平滑衬底表面。将衬底暴露于包含蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。优选地，蚀刻剂为氯气，并将衬底加热至小于约800℃的温度。在另一种实施方式中，提供了一种快蚀刻工艺(例如，约＞100/min)，该工艺包括去除硅材料，同时在衬底表面的源极/漏极(S/D)区域内形成凹槽。在另一种实施方式中，提供了一种清洁处理室的方法，该方法包括将处理室内表面暴露于包含蚀刻剂和硅源的室清洁气体。该室清洁工艺限制了对处理室内部的石英和金属表面的蚀刻。
基本信息
专利标题 ：
衬底表面和室表面的蚀刻剂处理工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101155648A
申请号 ：
CN200680010817.0
公开（公告）日 ：
2008-04-02
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿卡第·V·萨沐罗夫阿里·佐扎伊
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
赵飞
优先权 ：
CN200680010817.0
主分类号 ：
B08B6/00
IPC分类号 ：
B08B6/00 C25F1/00 C25F3/30
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B08
清洁
B08B
一般清洁；一般污垢的防除
B08B6/00
用静电法清洁
法律状态
2016-08-03 ：
授权
2008-05-28 ：
实质审查的生效
2008-04-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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