SOI衬底材料和形成具有不同取向的含Si的SOI和下覆衬底的方法

SOI衬底材料和形成具有不同取向的含Si的SOI和下覆衬...

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供一种SOI衬底材料和一种形成包括上含Si层(12)和下含Si层(14)的混合SOI衬底的方法，其中上含Si层和下含Si层具有不同晶体取向。掩埋绝缘区域(22)可以位于这些含Si层的一个中或者穿过位于这两个含Si层之间的界面(13)而定位。

基本信息

专利标题：

SOI衬底材料和形成具有不同取向的含Si的SOI和下覆衬底的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101048862A

申请号：

CN200580036878.X

公开（公告）日：

2007-10-03

申请日：

2005-11-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

M·利昂格D·萨达纳G·沙希迪

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约阿芒克

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

优先权：

CN200580036878.X

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762 H01L21/20

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/76

组件间隔离区的制作

H01L21/762

介电区

法律状态

2017-12-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/762
登记生效日 : 20171113
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约阿芒克
变更后权利人 : 美国纽约

2017-12-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/762
登记生效日 : 20171113
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2009-08-26 ：

授权

2007-11-28 ：

实质审查的生效

2007-10-03 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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